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日本GES公司生產的四電弧高溫單晶生長爐，采用電弧放電的高溫材料合成方法，非常適合生長化學性質活躍但熔點極高（一般在3000攝氏度左右）的金屬間化合物，包括含有稀土元素（或者金屬鈾）的二元及四元金屬間化合物，例如UGe2， UPt3， V3Si， URu2Si2， RE2Co17 ， CePd2Al3， REFe10Ti2 合金單晶以及Nd2Fe14B， URhAl， UNiAl and RENi5等合金單晶。生長的過程中，原料放在旋轉的銅坩堝中，四個電極同時放電形成高溫熔化原料，精密控制的拉晶棒使用Czochralski方法將熔化的原料拉成單晶。樣品室的真空度可達10-6托，也可以充入保護性氣體。 |
產品特點
* 采用四電弧法加熱
* 可實現3000°C高溫
* 適用于金屬間化合物材料
基本參數
樣品腔： **溫度：3000℃ 氣氛：Ar 工作壓強：5x10-6 Torr~1.1Atm 真空度：10-6 Torr 尺寸:直徑208*300H 材料:不銹鋼 冷卻:水冷 提拉棒： 提拉生長速度：0.1-39mm/hr 轉動速度:0-10rpm 行程：150mm | 坩堝： 轉動速度：0-10rpm 行程：20mm 電弧電流： 樣品：25/30A（可調） 真空吸氣劑：25/30A（可調） 爐體： 重量：350Kg 尺寸：600W*700D*2155H |
工作原理圖
發表文章
1. Single-Crystal Growth of f-Electron Intermetallics in a Tetra-Arc Czochralski Furnace. ACTA PHYSICA POLONICA A (2013)， 124 (2):336-339.
2. Crystal structure and magnetic properties of the ferromagnet CoMnSb. Proc. J-Physics 2019: Int. Conf， Multipole Physics and Related Phenomena JPS Conf. Proc. ， 013004 (2020).
國內用戶單位
北京大學
中科院物理所
復旦大學
國外用戶單位
Tokyo University
Okayama University
Osaka University
University of California San Diego
University of Maryland
Vienna University of Technology
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